Антава

VISHAY

Транзистор SIHFR010-GE3

SIHFR010-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
8.2 A
Pulsed drain current
33 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHFR010-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current8.2 A
Pulsed drain current33 A
Power dissipation25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 8.2A; Idm: 33A; 25W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.