VISHAY

Транзистор SIHFL9014TR-GE3

SIHFL9014TR-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -1.1 A
Pulsed drain current: -14 A
Power dissipation: 3.1 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHFL9014TR-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-1.1 A
Pulsed drain current	-14 A
Power dissipation	3.1 W
Корпус	SOT223
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.5 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.