Антава

VISHAY

Транзистор SIHFL210TR-GE3

SIHFL210TR-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
0.6 A
Pulsed drain current
7.7 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHFL210TR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current0.6 A
Pulsed drain current7.7 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.