Антава

VISHAY

Транзистор SIHFBF30S-GE3

SIHFBF30S-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900V
Drain current
2.3A
Pulsed drain current
14A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFBF30S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900V
Drain current2.3A
Pulsed drain current14A
Power dissipation125W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.7Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; Idm: 14A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.