Антава

VISHAY

Транзистор SIHFBF20L-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900V
Drain current
1.1A
Pulsed drain current
6.8A
Power dissipation
54W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFBF20L-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900V
Drain current1.1A
Pulsed drain current6.8A
Power dissipation54W
КорпусI2PAK, TO262
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W

Документация

Документы пока не предоставлены.