Антава

VISHAY

Транзистор SIHFBE30L-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
2.6 A
Pulsed drain current
16 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFBE30L-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current2.6 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation125 W
КорпусI2PAK, TO262
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.