Антава

VISHAY

Транзистор SIHFBC40L-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
3.9A
Pulsed drain current
25A
Power dissipation
130W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFBC40L-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current3.9A
Pulsed drain current25A
Power dissipation130W
КорпусI2PAK, TO262
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.2Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W

Документация

Документы пока не предоставлены.