Антава

VISHAY

Транзистор SIHFBC30AS-GE3

SIHFBC30AS-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
2.3A
Pulsed drain current
14A
Power dissipation
74W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHFBC30AS-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current2.3A
Pulsed drain current14A
Power dissipation74W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; Idm: 14A; 74W

Документация

Документы пока не предоставлены.