Антава

VISHAY

Транзистор SIHF9630STRL-GE3

SIHF9630STRL-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-4 A
Pulsed drain current
-26 A
Power dissipation
74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF9630STRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-4 A
Pulsed drain current-26 A
Power dissipation74 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W

Документация

Документы пока не предоставлены.