Антава

VISHAY

Транзистор SIHF9530S-GE3

SIHF9530S-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-8.2 A
Pulsed drain current
-48 A
Power dissipation
88 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 853 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%170,95 ₽

Сумма · с НДС 22%170,95 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1170,95 ₽
от 5142,08 ₽
от 25125,56 ₽
от 100112,83 ₽
от 500105,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHF9530S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-8.2 A
Pulsed drain current-48 A
Power dissipation88 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W

Документация

Документы пока не предоставлены.