Антава

VISHAY

Транзистор SIHF9520S-GE3

SIHF9520S-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-4.8 A
Pulsed drain current
-27 A
Рассеиваемая мощность
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHF9520S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-4.8 A
Pulsed drain current-27 A
Рассеиваемая мощность60 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W

Документация

Документы пока не предоставлены.