Антава

VISHAY

Транзистор SIHF830STRL-GE3

SIHF830STRL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2.9 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF830STRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2.9 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation74 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W

Документация

Документы пока не предоставлены.