Антава

VISHAY

Транзистор SIHF740S-GE3

SIHF740S-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400V
Drain current
6.3A
Pulsed drain current
40A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF740S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400V
Drain current6.3A
Pulsed drain current40A
Power dissipation125W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.55Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.