Антава

VISHAY

Транзистор SIHF730STRL-GE3

SIHF730STRL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400V
Drain current
3.5A
Pulsed drain current
22A
Power dissipation
74W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF730STRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400V
Drain current3.5A
Pulsed drain current22A
Power dissipation74W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W

Документация

Документы пока не предоставлены.