Антава

VISHAY

Транзистор SIHF6N65E-GE3

SIHF6N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
5A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
31W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF6N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current5A
Pulsed drain current18A
Power dissipation31W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.6Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge48nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.