Антава

VISHAY

Транзистор SIHF644STRL-GE3

SIHF644STRL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
8.5A
Pulsed drain current
56A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF644STRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current8.5A
Pulsed drain current56A
Power dissipation125W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.28Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.