Антава

VISHAY

Транзистор SIHF640STRL-GE3

SIHF640STRL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
72 A
Power dissipation
130 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF640STRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current11 A
Pulsed drain current72 A
Power dissipation130 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W

Документация

Документы пока не предоставлены.