Антава

VISHAY

Транзистор SIHF634STRR-GE3

SIHF634STRR-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
5.1 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHF634STRR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current5.1 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation74 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W

Документация

Документы пока не предоставлены.