Антава

VISHAY

Транзистор SIHF634S-GE3

SIHF634S-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
5.1A
Pulsed drain current
32A
Power dissipation
74W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF634S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current5.1A
Pulsed drain current32A
Power dissipation74W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.45Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W

Документация

Документы пока не предоставлены.