Антава

VISHAY

Транзистор SIHF620S-GE3

SIHF620S-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
3.3 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF620S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current3.3 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation50 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 18A; 50W

Документация

Документы пока не предоставлены.