Антава

VISHAY

Транзистор SIHF5N50D-E3

SIHF5N50D-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
3.4A
Pulsed drain current
10A
Power dissipation
28.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF5N50D-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current3.4A
Pulsed drain current10A
Power dissipation28.8W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.