Антава

VISHAY

Транзистор SIHF540S-GE3

SIHF540S-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
110 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF540S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current20 A
Pulsed drain current110 A
Power dissipation150 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance77 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge72nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W

Документация

Документы пока не предоставлены.