Антава

VISHAY

Транзистор SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
32 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF35N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current32 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation39 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance82 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge132nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 80A; 39W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.