Антава

VISHAY

Транзистор SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
18 A
Pulsed drain current
676 A
Power dissipation
37 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 144 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 356,24 ₽

Сумма · с НДС 22%1 356,24 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 356,24 ₽
от 21 291,65 ₽
от 31 223,27 ₽
от 501 040,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHF30N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current18 A
Pulsed drain current676 A
Power dissipation37 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge130nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP

Документация

Документ производителя