Антава

VISHAY

Транзистор SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
56 A
Power dissipation
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 150 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%938,35 ₽

Сумма · с НДС 22%938,35 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1938,35 ₽
от 5733,20 ₽
от 10643,93 ₽
от 25547,05 ₽
от 50524,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHF22N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current13 A
Pulsed drain current56 A
Power dissipation35 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.