Антава

VISHAY

Транзистор SIHF15N65E-GE3

SIHF15N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
38 A
Power dissipation
34 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF15N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current10 A
Pulsed drain current38 A
Power dissipation34 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge96nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.