Антава

VISHAY

Транзистор SIHF10N40D-E3

SIHF10N40D-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
23 A
Power dissipation
33 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHF10N40D-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400 V
Drain current6 A
Pulsed drain current23 A
Power dissipation33 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 33W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.