Антава

VISHAY

Транзистор SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
6A
Pulsed drain current
22A
Power dissipation
78W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD9N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current6A
Pulsed drain current22A
Power dissipation78W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30V
On-state resistance368mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.