Антава

VISHAY

Транзистор SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD7N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current5 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation78 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.