Антава

VISHAY

Транзистор SIHD6N80AE-GE3

SIHD6N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.2 A
Pulsed drain current
10 A
Рассеиваемая мощность
62.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHD6N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.2 A
Pulsed drain current10 A
Рассеиваемая мощность62.5 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.