Антава

VISHAY

Транзистор SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
5A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
78W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD6N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current5A
Pulsed drain current18A
Power dissipation78W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.