Антава

VISHAY

Транзистор SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
620V
Drain current
4A
Pulsed drain current
12A
Power dissipation
78W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD6N62E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage620V
Drain current4A
Pulsed drain current12A
Power dissipation78W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.9Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.