Антава

VISHAY

Транзистор SIHD5N80AE-GE3

SIHD5N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850 V
Drain current
4.4 A
Power dissipation
62.5 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHD5N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850 V
Drain current4.4 A
Power dissipation62.5 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.35 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 4.4A; 62.5W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.