Антава

VISHAY

Транзистор SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
1.9 A
Pulsed drain current
5.5 A
Power dissipation
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD3N50D-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current1.9 A
Pulsed drain current5.5 A
Power dissipation69 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; Idm: 5.5A; 69W

Документация

Документы пока не предоставлены.