Антава

VISHAY

Транзистор SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.8 A
Pulsed drain current
3.6 A
Power dissipation
62.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD2N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.8 A
Pulsed drain current3.6 A
Power dissipation62.5 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.