Антава

VISHAY

Транзистор SIHD240N65E-GE3

SIHD240N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
16 A
Рассеиваемая мощность
147 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHD240N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current16 A
Рассеиваемая мощность147 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.24 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; 147W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.