Антава

VISHAY

Транзистор SIHD180N60ET4-GE3

SIHD180N60ET4-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
40 A
Power dissipation
156 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHD180N60ET4-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current12 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation156 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 40A; 156W

Документация

Документы пока не предоставлены.