Антава

VISHAY

Транзистор SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
147 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD14N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current8 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation147 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance309 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.