Антава

VISHAY

Транзистор SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
6.6 A
Pulsed drain current
21 A
Power dissipation
114 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHD12N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current6.6 A
Pulsed drain current21 A
Power dissipation114 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W

Документация

Документы пока не предоставлены.