Антава

VISHAY

Транзистор SIHD11N80AE-T1-GE3

SIHD11N80AE-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
22 A
Power dissipation
78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHD11N80AE-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current22 A
Power dissipation78 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance391 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.