Антава

VISHAY

Транзистор SIHB6N80E-GE3

SIHB6N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5.4 A
Pulsed drain current
15 A
Power dissipation
78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB6N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5.4 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation78 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance940 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; Idm: 15A; 78W

Документация

Документы пока не предоставлены.