Антава

VISHAY

Транзистор SIHB5N80AE-GE3

SIHB5N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
2.8 A
Pulsed drain current
7 A
Power dissipation
62.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB5N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current2.8 A
Pulsed drain current7 A
Power dissipation62.5 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 7A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.