Антава

VISHAY

Транзистор SIHB4N80E-GE3

SIHB4N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
2.7A
Pulsed drain current
11A
Power dissipation
69W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB4N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current2.7A
Pulsed drain current11A
Power dissipation69W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.27Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W

Документация

Документы пока не предоставлены.