Антава

VISHAY

Транзистор SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
14A
Pulsed drain current
56A
Power dissipation
227W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB22N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current14A
Pulsed drain current56A
Power dissipation227W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.18Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W

Документация

Документы пока не предоставлены.