Антава

VISHAY

Транзистор SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
21 A
Pulsed drain current
56 A
Power dissipation
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 240 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 006,73 ₽

Сумма · с НДС 22%1 006,73 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 006,73 ₽
от 5856,67 ₽
от 10668,62 ₽
от 50556,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHB22N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current21 A
Pulsed drain current56 A
Power dissipation227 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W

Документация

Документы пока не предоставлены.