Антава

VISHAY

Транзистор SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
51 A
Pulsed drain current
268 A
Power dissipation
520 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB22N60AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current51 A
Pulsed drain current268 A
Power dissipation520 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge443nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W

Документация

Документы пока не предоставлены.