Антава

VISHAY

Транзистор SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
53 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB21N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current13 A
Pulsed drain current53 A
Power dissipation208 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge106nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W

Документация

Документы пока не предоставлены.