Антава

VISHAY

Транзистор SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
53 A
Power dissipation
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB21N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current14 A
Pulsed drain current53 A
Power dissipation227 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance176 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge84nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W

Документация

Документы пока не предоставлены.