Антава

VISHAY

Транзистор SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
12A
Pulsed drain current
42A
Power dissipation
179W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB20N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current12A
Pulsed drain current42A
Power dissipation179W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance184mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W

Документация

Документы пока не предоставлены.