Антава

VISHAY

Транзистор SIHB190N65E-GE3

SIHB190N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
20A
Power dissipation
179W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB190N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current20A
Power dissipation179W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.19Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 179W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.